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半导体硅片回收之对半导体硅片的化学清洗技术
编辑:苏州晶太阳新能源科技有限公司   时间:2017-11-02

半导体硅片回收之对半导体硅片的化学清洗技术


  半导体硅片回收之对半导体硅片的化学清洗技术:

  硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类:


  A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。

  B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。

  C. 金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污,硅片表面金属杂质沾污有两大类:

  a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。

  b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。


  硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污,一般可按下述办法进行清洗去除沾污。

  a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 

  b. 用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金

属离子,使之溶解于清洗液中。

  c. 用大量去离水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。

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